반도체 실리콘 웨이퍼(Wafer) 공정

참조

• 반도체 실리콘 웨이퍼(Wafer) 공정 소개 영상 (https://www.youtube.com/watch?v=ad-fZDchlo0)

300mm Silicon Wafer Manufacturing Process

• 1. POLY SILICON STACKING
• 2. INGOT GROWING
• 3. INGOT GRINDING & CROPPING
• 4. WIRE SAWING
• 5. EDGE GRINDING
• 6. LAPPING
• 7. ETCHING
• 8. DOUBLE SIDE GRINDING
• 9. RTP
• 10. POLISHING
• 11. CLEANING
• 12. INSPECTION
• 13. PARTICLE COUNTING
• 14. EPI GROWING
• 15. PACKING

1. POLY SILICON STACKING

• 반도체 실리콘의 원재료인 다결정 실리콘 덩어리를 석영 도가니에 조밀하게 채워 넣는 공정입니다.

2. INGOT GROWING

• 다결정 실리콘을 단결정 실리콘으로 만드는 공정입니다.
• 다결정 실리콘을 가열하여 액체가 되도록 녹인 후, 열적 환경을 정밀하게 제어하여 고품질으 단결정 잉곳으롯 성장시킵니다.

3. INGOT GRINDING & CROPPING

• 잉곳의 표면을 갈아내어 다듬고 알맞은 크기로 절단하는 공정입니다.

4. WIRE SAWING

• 잉곳 블록을 여러 가닥의 강철선으로 절단하는 공정입니다.

5. EDGE GRINDING

• 직각의 웨이퍼 테두리를 중근 형상으로 연삭하는 공정입니다.
• 외부 충격으로 인한 파손 위험성을 줄여줍니다.

6. LAPPING

• 정반 사이에 웨이퍼를 넣고 연마제와 함께 압력을 가하면 회전시켜 웨이퍼를 평평하게 만드는 공정입니다.

7. ETCHING

• 기계적 가공에 의해 손상된 웨이퍼 표면을 화학 용액으로 제거하는 공정입니다.

8. DOUBLE SIDE GRINDING

• 웨이퍼 표면을 더욱 평평하게 만드는 공정으로, 고속 회전 휠로 웨이퍼 표면 굴곡을 제거합니다.

9. RTP(Rapid Thermal Process)

• 수초 이내 짧은 시간 동안 가열해 웨이퍼 내 금속오염을 제거하는 공정입니다.
• RTP 과정을 통해 반도체 이상작전을 막아줍니다.

10. POLISHING

• 화학적 반응과 기계적 가공을 동시에 진행하여 웨이퍼 최종 평탄도 확보하는 공정입니다.

11. CLEANING

• 웨이퍼 표면 불순물을 제거하는 공정입니다. (화학용액으로 제거)

12. INSPECTION

• 다양한 장비로 웨이퍼를 검사하는 공정입니다.
• 웨이퍼의 세부 형상과 평탄도 등의 품질을 세밀하게 측정합니다.

13. PARTICLE COUNTING

• 웨이퍼 표면을 정밀하게 검사하는 공정으로 레이저 산란 방식으로 표면 결함의 크기와 개수를 측정합니다.

14. EPI GROWING

• 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼 위에 화학기상즉착법으로 고품질의 실리콘 단결정 막을 성장시키는 공정입니다.

15. PACKING

• 최종 합격된 제품을 포장하여 외부 충격과 먼지, 습기로부터 제품을 보호합니다.